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Il existe de nombreuses bandes de fréquences larges et non attribuées dans les fréquences sub-terahertz (au-dessus de 100 GHz) qui sont intéressantes pour les applications à large bande. Le potentiel de cette bande de térahertz sans licence et inutilisée, située entre les micro-ondes et le spectre optique, comme l'énorme largeur de bande, la très petite taille, les débits de données très élevés pour les applications de communication sans fil de puce à puce et le moindre risque d'interférence externe, est un défi non seulement pour les applications spatiales, mais aussi pour les applications de défense. La faiblesse des tubes à vide (encombrants et discrets) peut être surmontée si les tubes à vide sont fabriqués par des technologies de nanofabrication en silicium et si le mécanisme de fonctionnement passe de l'émission thermoionique à l'émission de champ. Ce travail de diplôme présente la conception, à l'aide d'outils logiciels appropriés, d'un transistor à canal sous vide de 150 nm. Ce transistor fonctionne à une fréquence supérieure au spectre des micro-ondes et inférieure au spectre optique, donc entre 100 GHz et 3 THz, en utilisant le processus traditionnel du silicium.
