Kniha Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells MUHAMMED SHIBIB

Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells

Jazyk: Angličtina
Väzba: Pevná
Dostupnosť: Skladom u dodávateľa
Odosielame za 9-15 dní
82.60
Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the...

Informácie o knihe

Jazyk
Angličtina
Väzba
Kniha - Pevná
Vydalo
2019
Stránok
206
EAN
9780530008134
ISBN
0530008130
Enbook ID
22569086
Hmotnosť
767
Rozmery
216 x 279 x 13

Kompletný popis

Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the anomolously large recombination current experimentally observed in heavily doped regions of silicon pn-junction solar cells and bipolar transistors. The

Mohlo by vás zaujímať

Wikinomics

Don Tapscott
20.62

SS France / Norway

William H Miller
25.72

Zákazníci, ktorí si kúpili túto knihu, kúpili tiež